技術(shù)交流
光伏電池工藝介紹:P型電池、N型電池、TOPCon技術(shù)工藝 |
發(fā)布時(shí)間:2023/7/23 |
光伏電池是利用光電效應將太陽(yáng)光轉化為電能的一種設備,并且不產(chǎn)生任何污染物,屬于如今主流的可再生能源。光伏發(fā)電太陽(yáng)能電池分為P型電池和N型電池。P型電池指的是以P型硅片為襯底的電池片(P型硅片摻硼元素)。N型電池指N型硅片為襯底的電池片(N型硅片摻磷元素)。 P型電池和N型電池在SE激光摻雜工藝中進(jìn)行摻入不同的元素而得到不同種類(lèi)的電池片。 以下本文主要介紹N型電池TOPCon技術(shù)工藝。 1.檢驗工序 檢驗硅片原料是否有破損和開(kāi)裂等現象。 2. 制絨酸洗 采用堿性或酸性溶液在硅片上腐蝕出凹凸不平的表面,使光可以在太陽(yáng)能電池片表面多次折射。硅片切割后其邊緣有損傷,硅的晶格結構被破壞、表面復合嚴重,清洗制絨主要目的在于去除表面損傷并形成表面金字塔陷光結構、增加光線(xiàn)吸收。 3. 硼擴散工序 擴散工序為核心工序,主要作用是制備PN結(生成P-N結),P-N 結是光伏電池的“心臟?#34180;?#30001;于硼在硅中的固溶度低,因此需要高溫和更長(cháng)的時(shí)間進(jìn)行擴散。同時(shí),擴散源的選擇對生產(chǎn)過(guò)程也會(huì )有影響,氯化物腐蝕性較強,溴化物黏?#28304;螅?#28165;洗過(guò)程繁瑣、增加運維費用。硼擴散通常在較高的溫度下完成,一般超出1000℃,硼擴散的循環(huán)時(shí)間為150min。 4. 摻雜工序(SE激光摻雜) 摻雜工序為核心工序,SE激光摻雜是一種利用激光輻射來(lái)改變材料性質(zhì)的技術(shù)。它是一種非常有效的方法,可以在材料表面或體內引入摻雜原子,形成重摻雜區,提高光電轉換效率。PERC(P型電池) SE工序中是摻硼,而TOPCON(N型電池) SE工序中是摻磷。 為什么要摻雜工藝,由于純凈的半導體導電性較差,不能直接用來(lái)制造晶體管。于是,人們在純凈的半導體中摻入微量雜質(zhì)元素,使半導體的導電性能大大增強,這種半導體稱(chēng)為雜質(zhì)半導體。根據摻入雜質(zhì)性質(zhì)的不同,雜質(zhì)半導體可分為,P型半導體(或空穴型半導體)和N型半導體(或電?#26377;?#21322;導體)兩大類(lèi)。這里"P”是指”正”的意思,“N“是指”負”的意思。 當PN結加上正向電壓時(shí)有較大的電流通過(guò),正向電阻很小,PN結處于導通狀態(tài);當PN結加上反向電壓時(shí)只有很小的電流通過(guò),或者粗略地認為沒(méi)有電流通過(guò),反向電阻很大,PN結處于截止狀態(tài)。這就是PN結的重要特性-一單向導電性。從這里可以看出,PN結具有單向導電性的關(guān)鍵是它的阻擋層的存在,及其隨外加電壓而變化。 5. 刻蝕工序 刻蝕的主要作用為去除 BSG 和背結。擴散過(guò)程會(huì )在硅片表面及周邊均形成擴散層,周邊擴散層容易形成短路,表面擴散層影響后續鈍化,因此需要去除。目前刻蝕主要采用濕法,先在鏈式設備中去除背面與周邊擴散層,之后處理正面。 6. 制備隧穿氧化層與多晶硅層 背面沉積 1-2nm 隧穿氧化層,之后沉積 60-100nm 多晶硅?#26377;?#25104;鈍化結構。 7. 制備背面減反射膜 在電池背面制備減反射鈍化膜層增加對光的吸收,同時(shí),在 SiNx 薄膜形成過(guò)程中產(chǎn)生的氫原子對硅片具有鈍化作用。 8. 正面鍍氧化鋁 在硅片正面沉積一層氧化鋁膜層,與其他膜層共同形成正面鈍化作用。 9. 制備正面減反射膜 正面減反膜與背面作用基本相同,此外,正面沉積的氧化鋁薄膜非常薄,容易在后續電池組件的制作中被破壞,正面 SiNx 對氧化鋁也具有保護作用。 10.激光開(kāi)槽 電池片激光開(kāi)槽能夠將背面鈍化膜打穿但不會(huì )對硅片造成明顯的損傷,使整個(gè)硅片基體明顯暴露出來(lái),并且平整光滑,無(wú)明顯的激光脈沖腐蝕痕跡,從而提供電池片發(fā)電轉換效率。 11.絲網(wǎng)印刷 采用激光轉印技術(shù),絲網(wǎng)印刷制備前后電極。 12. 燒結 干燥硅片上漿料,燃燒掉漿料中的有機樹(shù)脂粘合劑。 13. 測試分選 測試分選工序,根據測試出的功率及外觀(guān)質(zhì)量獎太陽(yáng)能電池片分成A+、A、B、C、D五個(gè)等級。 |
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